Tunneling and ionization phenomena in GaAs pin diodes

D. Liebig, P. Lugli, P. Vogl, M. Claassen, W. Harth

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandKonferenzbeitragBegutachtung

1 Zitat (Scopus)

Abstract

We present a combined theoretical and experimental analysis of breakdown phenomena in GaAs pin diodes. The measured reverse characteristics indicating a soft breakdown for intrinsic regions smaller than 50nm are nicely interpreted via a self-consistent Monte Carlo simulation which allows the separation of tunneling an ionization processes.

OriginalspracheEnglisch
TitelEuropean Solid-State Device Research Conference
Redakteure/-innenHerman E. Maes, Roger J. Van Overstraeten, Robert P. Mertens
Herausgeber (Verlag)IEEE Computer Society
Seiten127-130
Seitenumfang4
ISBN (elektronisch)0444894780
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1992
Extern publiziertJa
Veranstaltung22nd European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1992 - Leuven, Belgien
Dauer: 14 Sept. 199217 Sept. 1992

Publikationsreihe

NameEuropean Solid-State Device Research Conference
ISSN (Print)1930-8876

Konferenz

Konferenz22nd European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1992
Land/GebietBelgien
OrtLeuven
Zeitraum14/09/9217/09/92

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Tunneling and ionization phenomena in GaAs pin diodes“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

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