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Single-electron transistor fabricated by focused laser beam-induced doping of a GaAs/AlGaAs heterostructure
P. Baumgartner, W. Wegscheider, M. Bichler, G. Schedelbeck, R. Neumann, G. Abstreiter
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung
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Zitate
(Scopus)