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Resonantly excited photoluminescence in porous silicon
M. Rosenbauer
, D. H. Leach
, M. Sendova-Vassileva
, S. Finkbeiner
,
M. Stutzmann
TUM Emeriti of Excellence
Max Planck Institute for Solid State Research
INRNE BAS Sofia
Publikation
:
Beitrag in Fachzeitschrift
›
Artikel
›
Begutachtung
3
Zitate (Scopus)
Übersicht
Fingerprint
Fingerprint
Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Resonantly excited photoluminescence in porous silicon“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.
sortieren
Gewicht:
Alphabetisch
Keyphrases
Porous Silicon
100%
Photoluminescence
100%
Photoluminescence Spectra
100%
Laser Line
75%
Delay Time
50%
High Energy
50%
Luminescence
50%
Low Energy
25%
Low Temperature
25%
Step-like
25%
Excitation Energy
25%
Excitation Temperature
25%
Phonon Structure
25%
Exponential Tail
25%
Excitation Delay
25%
Luminescence Mechanism
25%
Chemistry
Porosity
100%
Silicon
100%
Photoluminescence
100%
Photoluminescence Spectrum
100%
Phonon
25%
Material Science
Photoluminescence
100%
Porous Silicon
100%
Luminescence
60%
Engineering
Porous Silicon
100%
Delay Time
50%
Low-Temperature
25%
Temperature Time
25%
Excitation Energy
25%
Phonon Structure
25%
Physics
Porous Silicon
100%
Photoluminescence
100%
Phonon
20%