First monomeric, volatile bis-azide single-source precursor to gallium nitride thin films

Alexander Miehr, Oliver Ambacher, Walter Rieger, Thomas Metzger, Eberhard Born, Roland A. Fischer

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

53 Zitate (Scopus)

Abstract

Group III nitrides are strong candidates for use in light emitting diodes and semiconductor lasers. There are, though, a number of shortcoming of currently available precursors. There is a need for less toxic and pyrophoric precursors that can be used for low temperature deposition. Fortunately, the single source nitrogen-rich GaN precursor, building on the concept of intramolecularly based adduct stabilization, shows considerable promise for producing high quality layers.

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)51-55
Seitenumfang5
FachzeitschriftChemical Vapor Deposition
Jahrgang2
Ausgabenummer2
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1996

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „First monomeric, volatile bis-azide single-source precursor to gallium nitride thin films“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

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