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Fermi level pinning at GaN-interfaces: correlation of electrical admittance and transient spectroscopy

  • H. Witte
  • , A. Krtschil
  • , M. Lisker
  • , D. Rudloff
  • , J. Christen
  • , A. Krost
  • , M. Stutzmann
  • , F. Scholz
  • Otto-von-Guericke University

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzartikel › Begutachtung

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Fermi level pinning at GaN-interfaces: correlation of electrical admittance and transient spectroscopy“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.
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