Extending lasing wavelength on InP with GaAsSb/GaInAs type-II active regions

Stephan Sprengel, Kristijonas Vizbaras, Alexander Andrejew, Tobias Gruendl, Kathrin Geiger, Gerhard Boehm, Christian Grasse, Markus Christian Amann

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftKonferenzartikelBegutachtung

Abstract

We present a new concept for type-II lasers on InP, utilizing W-shaped GaAsSb/GaInAs active regions. First lasers demonstrate emission at 2.55μm up to 42°C in pulsed mode and continuous operation at 2.31μm up to 0°C.

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer6348308
Seiten (von - bis)22-23
Seitenumfang2
FachzeitschriftConference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2012
Veranstaltung23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2012 - San Diego, CA, USA/Vereinigte Staaten
Dauer: 7 Okt. 201210 Okt. 2012

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Extending lasing wavelength on InP with GaAsSb/GaInAs type-II active regions“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

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