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Electrically pumped GaSb-based VCSEL with buried tunnel junction

  • A. Bachmann
  • , T. Lim
  • , K. Kashani-Shirazi
  • , O. Dier
  • , C. Lauer
  • , M. C. Amann
  • Walter Schottky Institut

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandKonferenzbeitragBegutachtung

Abstract

We present the concept and first results of a continuous wave room temperature operating electrically pumped GaSb-based VCSEL with buried tunnel junction as current aperture. Laser emission has been achieved at 2.3 μm.

OriginalspracheEnglisch
Titel2008 Conference on Quantum Electronics and Laser Science Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO/QELS
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2008
VeranstaltungConference on Quantum Electronics and Laser Science Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO/QELS 2008 - San Jose, CA, USA/Vereinigte Staaten
Dauer: 4 Mai 20089 Mai 2008

Publikationsreihe

Name2008 Conference on Quantum Electronics and Laser Science Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO/QELS

Konferenz

KonferenzConference on Quantum Electronics and Laser Science Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO/QELS 2008
Land/GebietUSA/Vereinigte Staaten
OrtSan Jose, CA
Zeitraum4/05/089/05/08

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Electrically pumped GaSb-based VCSEL with buried tunnel junction“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

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