Deuterium effusion measurements in doped crystalline silicon

Martin Stutzmann, Martin S. Brandt

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

16 Zitate (Scopus)

Abstract

We describe first results for deuterium effusion from undoped and doped crystalline silicon (n- and p-type) treated in a D2 plasma under different conditions. The dependence of the effusion spectra on doping level, passivation temperature, sample bias, and preannealing are presented and the results are discussed on the basis of different D-bonding configurations in the passivated silicon samples.

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)1406-1409
Seitenumfang4
FachzeitschriftJournal of Applied Physics
Jahrgang68
Ausgabenummer3
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1990
Extern publiziertJa

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Deuterium effusion measurements in doped crystalline silicon“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

Dieses zitieren