Autocompensation doping in light-soaked and in radiation-damaged a-Si:H

H. Stitzl, G. Krötz, G. Müller

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

5 Zitate (Scopus)

Abstract

n-type a-Si:H films have been irradiated with light, electrons, protons and heavy ion beams. It is shown that the non-thermal creation of dangling-bond defects activates significant densities of previously inactive phosphorus dopants. The relevance of these results is discussed with respect to equilibration phenomena in doped material and with respect to degradation phenomena in a-Si:H solar cells.

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)335-338
Seitenumfang4
FachzeitschriftApplied Physics A Solids and Surfaces
Jahrgang52
Ausgabenummer5
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - Mai 1991
Extern publiziertJa

Fingerprint

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