Amorphisation processes in silicon

Gerhard Müller

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

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Abstract

Amorphisation damage, a by-product of the ion-implantation process, has plagued silicon device technologists for more than three decades. More recently, physicists have become aware of the fact that ion bombardment of amorphised silicon represents an ideal model system for elucidating fundamental properties of both pure and hydrogenated silicon random networks.

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)364-370
Seitenumfang7
FachzeitschriftCurrent Opinion in Solid State and Materials Science
Jahrgang3
Ausgabenummer4
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - Aug. 1998
Extern publiziertJa

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „Amorphisation processes in silicon“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

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