36% Frequency-tuning-range dual-core 60 GHz push-push VCO in 45 nm RF-SOI CMOS technology

Johannes Rimmelspacher, Robert Weigel, Amelie Hagelauer, Vadim Issakov

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandKonferenzbeitragBegutachtung

9 Zitate (Scopus)

Abstract

This paper presents a millimeter-wave (mm-wave) push-push voltage-controlled oscillator (VCO) in a 45 nm RF-SOI CMOS technology. The circuit aims to meet specifications for FMCW radar applications requiring an ultra-wide PLL modulation bandwidth. The fundamental output of the VCO can be tuned from 27 GHz to 39 GHz, which corresponds to a frequency tuning range (FTR) of 36 %. We extract the 2nd harmonic in a non-invasive way using a transformer. The measured phase noise (PN) at 1 MHz offset from the fundamental carrier varies across the tuning range from -100 dBc/Hz to -90 dBc/Hz. The VCO including output buffers dissipates 65 mW DC power from a single 1 V supply and consumes a chip area of 0.12 mm2.

OriginalspracheEnglisch
Titel2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2017
Herausgeber (Verlag)Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Seiten1356-1358
Seitenumfang3
ISBN (elektronisch)9781509063604
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 4 Okt. 2017
Extern publiziertJa
Veranstaltung2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2017 - Honololu, USA/Vereinigte Staaten
Dauer: 4 Juni 20179 Juni 2017

Publikationsreihe

NameIEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
ISSN (Print)0149-645X

Konferenz

Konferenz2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2017
Land/GebietUSA/Vereinigte Staaten
OrtHonololu
Zeitraum4/06/179/06/17

Fingerprint

Untersuchen Sie die Forschungsthemen von „36% Frequency-tuning-range dual-core 60 GHz push-push VCO in 45 nm RF-SOI CMOS technology“. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.

Dieses zitieren