Ralf Brederlow

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• 2002

  Erratum: Hot-carrier degradation of the low-frequency noise in MOS transistors under analog and RF operating conditions (IEEE Trans. Electron Devices (2002) 49 (1588-1596))

  Brederlow, R., Weber, W., Schmitt-Landsiedel, D. & Thewes, R., Dez. 2002, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 49, 12, S. 2373 1 S.

  Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Kommentar/Debatte