Persönliches Profil
Kompetenzen im Bereich UN SDGs
2015 einigten sich UN-Mitgliedstaaten auf 17 globale Ziele für nachhaltige Entwicklung (Sustainable Development Goals, SDGs) zur Beendigung der Armut, zum Schutz des Planeten und zur Förderung des allgemeinen Wohlstands. Die Arbeit dieser Person leistet einen Beitrag zu folgendem(n) SDG(s):
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SDG 3 – Gute Gesundheit und Wohlergehen -
SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
Fingerprint
Ergründen Sie die Forschungsthemen, in denen Martin Stutzmann aktiv ist. Diese Themenbezeichnungen stammen aus den Werken dieser Person. Zusammen bilden sie einen einzigartigen Fingerprint.
- 1 Ähnliche Profile
Kooperationen und Spitzenforschungsbereiche der letzten fünf Jahre
Jüngste externe Zusammenarbeit auf Länder-/Gebietsebene. Tauchen Sie ein in Details, indem Sie auf die Punkte klicken, oder:
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Selective growth and characterization of GaN nanowires on SiC substrates
Höldrich, T., Wieland, A., Pantle, F., Winnerl, J. & Stutzmann, M., 1 Sept. 2025, in: Journal of Crystal Growth. 665, 128194.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung
Open Access -
Amorphous nitride semiconductors with highly tunable optical and electronic properties: the benefits of disorder in Ca-Zn-N thin films
Sirotti, E., Böhm, S., Grötzner, G., Christis, M., Wagner, L. I., Wolz, L., Munnik, F., Eichhorn, J., Stutzmann, M., Streibel, V. & Sharp, I. D., 16 Dez. 2024, in: Materials Horizons. 12, 6, S. 1971-1980 10 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung
Open Access -
Amorphous nitride semiconductors with highly tunable optical and electronic properties: the benefits of disorder in Ca-Zn-N thin films
Sirotti, E., Böhm, S., Grötzner, G., Christis, M., Wagner, L. I., Wolz, L., Munnik, F., Eichhorn, J., Stutzmann, M., Streibel, V. & Sharp, I. D., 2024, (Angenommen/Im Druck) in: Materials Horizons.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung
Open Access -
Annealing-Free Ohmic Contacts to n-Type GaN via Hydrogen Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Sub-Nanometer AlOx
Christis, M., Henning, A., Bartl, J. D., Zeidler, A., Rieger, B., Stutzmann, M. & Sharp, I. D., 2 Feb. 2024, in: Advanced Materials Interfaces. 11, 4, 2300758.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung
Open Access3 Zitate (Scopus) -
Influencing the surface quality of free-standing wurtzite gallium nitride in ultra-high vacuum: Stoichiometry control by ammonia and bromine adsorption
Rostami, M., Yang, B., Haag, F., Allegretti, F., Chi, L., Stutzmann, M. & Barth, J. V., 15 Nov. 2024, in: Applied Surface Science. 674, 160880.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung
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