Walter Schottky Institut

Atomically Flat Dielectric Patterns for Bandgap Engineering and Lateral Junction Formation in MoSe₂ Monolayers
Moser, P., Wolz, L. M., Henning, A., Thurn, A., Kuhl, M., Ji, P., Soubelet, P., Schalk, M., Eichhorn, J., Sharp, I. D., Stier, A. V. & Finley, J. J., 10 Apr. 2025, in: Advanced Functional Materials. 35, 15, 2418528.
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Open Access
Breakdown of the Static Dielectric Screening Approximation of Coulomb Interactions in Atomically Thin Semiconductors
Ben Mhenni, A., Van Tuan, D., Geilen, L., Petrić, M. M., Erdi, M., Watanabe, K., Taniguchi, T., Tongay, S. A., Müller, K., Wilson, N. P., Finley, J. J., Dery, H. & Barbone, M., 4 Feb. 2025, in: ACS Nano. 19, 4, S. 4269-4278 10 S.
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Open Access
1 Zitat (Scopus)
Continuous Wave Mid-Infrared Lasing from Single InAs Nanowires Grown on Silicon
Meder, S., Haubmann, B., del Giudice, F., Schmiedeke, P., Busse, D., Zöllner, J., Finley, J. J. & Koblmüller, G., 22 Jan. 2025, in: Advanced Functional Materials. 35, 4, 2414046.
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Open Access

Kooperationen und Spitzenforschungsbereiche der letzten fünf Jahre